極端紫外光。Extreme Ultravioletの略称。

主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられ、従来のArFエキシマレーザー（193nm）に比べより微細なパターンが描写可能です。

EUVは物質への吸収率が極めて高く透過型の光学系（レンズ）を使用できないため、反射光学系（ミラー）を用いる必要があります。